[发明专利]浆料成分及形成此浆料的方法无效
申请号: | 201210306062.6 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103000712A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 | 申请(专利权)人: | 旺能光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种用以形成硫化物半导体膜的浆料成分以及此浆料成分的制作方法。此浆料成分包含一溶剂、多个金属硫化物纳米粒子及至少一种选自金属离子及金属络合物离子所构成组合的离子。金属离子及/或金属络合物离子分布于金属硫化物纳米粒子表面并用以将金属硫化物纳米粒子分散于溶剂中。金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素所构成的组合,并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。 | ||
搜索关键词: | 浆料 成分 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种浆料成分,其特征在于,包含有:一溶剂;多个金属硫化物纳米粒子;以及至少一种选自金属离子与金属络合物离子所构成组合的离子,其分布于所述金属硫化物纳米粒子的表面,并用以使所述金属硫化物纳米粒子分散于所述溶剂中;其中,所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子及所述金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素所构成的组合,并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
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