[发明专利]具有类超晶格结构的相变存储单元及其制备方法无效
| 申请号： | 201210300873.5 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102810636A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠;吴良才;饶峰;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有类超晶格结构的相变存储单元，其包括相变材料层，所述相变材料层是由单层GaSb层与单层相变材料Sb2Te3层在纳米级厚度单层周期交替生长而形成的类超晶格结构。所述单层GaSb和单层相变材料Sb2Te3的厚度范围分别为2～8nm和3～12nm。本发明的类超晶格材料具有结晶温度可调，热导率低，热稳定性好及相变速度快的特点。将本发明的类超晶格材料应用于相变存储器中，具有数据保持力强，擦写操作速度快及功耗低的特点。特别优选类超晶格GaSb(4nm)/Sb2Te3(6nm)薄膜，它在材料及器件性能较其他组分表现出优势。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 结构 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元，其包括相变材料层，其特征在于，所述相变材料层是由单层GaSb层与单层相变材料Sb2Te3层在纳米级厚度单层周期交替生长而形成的类超晶格结构。
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