[发明专利]一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201210300106.4 申请日: 2012-08-21
公开(公告)号: CN102789128A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 张跃;陈翔;闫小琴;李欣;冯亚瀛;申衍伟;郑鑫 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/20;G03F7/30
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,属于纳米材料图案化生长领域。本发明在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上,采用全光路介质全反射镜、防气流有机玻璃遮罩和低浓度多杯法显影三项技术,不仅避免了双光束激光干涉旋转多次曝光引起的模板畸形问题,而且降低了气流波动和显影疲劳带来的不利影响,使孔洞模板对比度和结构稳定性大幅提升,并利用改进后的模板进行限域水热生长,所得图案化ZnO纳米棒阵列可控而稳定。本发明简单有效、成本低廉、易于推广,为图案化ZnO纳米棒阵列走向器件应用奠定了坚实的基础。
搜索关键词: 一种 制备 图案 zno 纳米 阵列 方法
【主权项】:
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,能实现图案化ZnO纳米棒阵列可控而稳定的产出,其特征在于:该方法具体步骤如下:(1)搭建基于双面劳埃德镜的三光束激光干涉系统,全光路使用介质全反射镜,除激光器外,光学平台用透明有机玻璃遮罩遮盖;(2)对生长用基底进行超声清洗并旋涂负性紫外光刻胶;(3)对带有光刻胶的基片进行三光束激光干涉单次曝光,后采用低浓度多杯法显影得到高对比度六角排列圆形孔洞模板;(4)将带有所述模板的生长基底放入生长液中进行图案化ZnO纳米棒阵列限域水热生长,后取出、清洗并烘干,即可得到图案化ZnO纳米棒阵列。
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