[发明专利]在等离子体离子注入过程中测量掺杂物浓度的方法有效
| 申请号： | 201210299637.6 | 申请日： | 2009-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102832151A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 马耶德·A·福阿德;李实健 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的具体实施方式提供一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测预设掺杂物浓度终点的方法。在一具体实施方式中，此方法包含：将基板置于处理腔室中；于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体；传送光线穿过该基板；由传感器接收该光线；产生起始信号，该起始信号与该传感器所接收到的该光线成比例；在掺杂工艺中，以掺杂物注入该基板；与增加的掺杂物浓度成比例地来调控由该传感器所接收到的该光线；当该基板具有最终掺杂物浓度时，产生与由该传感器所接收到的该光线成比例的终点信号；以及停止该基板的掺杂物注入。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 离子 注入 过程 测量 掺杂 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测基板表面上的掺杂物浓度的方法，包含：将基板置于处理腔室中；于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体；传送光线穿过该基板；由传感器接收该光线；产生起始信号，该起始信号与该传感器所接收到的该光线成比例；在掺杂工艺中，以掺杂物注入该基板；与增加的掺杂物浓度成比例地来调控由该传感器所接收到的该光线；当该基板具有最终掺杂物浓度时，产生与由该传感器所接收到的该光线成比例的终点信号；以及停止该基板的掺杂物注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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