[发明专利]一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法，该结构至上而下包括下面各子电池：倒装生长的(Al)GaInP第一子电池；倒装生长的AlGaAs(P)第二子电池，晶格常数与第一子电池匹配；倒装生长的Ga(In)As(P)第三子电池，晶格常数与第二子电池匹配；倒装生长的Ga1-XInXAs第四子电池，晶格常数大于第三子电池；倒装生长的Ga1-yInyAs第五子电池，晶格常数大于第二子电池；第一渐变缓冲层，位于所述第三、第四子电池之间，组分渐变；第二渐变缓冲层，位于所述第四、第五子电池之间，组分渐变。此太阳能电池结构合理配置了各子电池的带隙，在拓宽太阳能吸收范围的同时能够实现各结电池电流匹配，运用此方法能够制备出高晶格质量、低位错密度、电流匹配的高效倒装五结太阳能电池。

主权项

一种高效倒装五结太阳能电池的制备方法，包括步骤：提供生长衬底，用于半导体外延生长；在所述生长衬底上倒装生长(Al)GaInP第一子电池，晶格与衬底匹配；在所述第一子电池上倒装生长AlGaAs(P)第二子电池，晶格与第一子电池匹配；在所述第二子电池上倒装生长Ga(In)As(P)第三子电池，晶格与第二子电池匹配；在所述第三子电池上生长第一渐变缓冲层，组分渐变；在所述第一渐变缓冲层上倒装生长Ga1‑XInXAs第四子电池，晶格常数大于第三子电池；在所述第四子电池上生长第二渐变缓冲层，组分渐变；在所述第二渐变缓冲层上倒装生长Ga1‑yInyAs第五子电池，晶格常数大于第四子电池；提供一支撑基板，将其安装在第五子电池的顶部；移除所述生长衬底。