[发明专利]一种光学邻近修正的焦平面选择方法有效
申请号: | 201210297030.4 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN103631083A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 王辉;刘庆炜 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 申请公开了一种光学邻近修正的焦平面选择方法,该方法在建立光学邻近效应模型过程中,在原本对焦平面不敏感的光罩图形中加入焦平面敏感的检测图形,用于选择最佳焦平面相关参数的取值,突破了用泊桑曲线选择最佳焦平面的局限性。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 邻近 修正 平面 选择 方法 | ||
【主权项】:
一种光学邻近修正的焦平面选择方法,该方法应用于光学邻近修正,在具有焦平面不敏感图形的光罩图形中加入焦平面敏感的检测图形;分别建立所述焦平面不敏感图形对应的第一泊桑曲线和所述焦平面敏感的检测图形对应的第二泊桑曲线,所述第二泊桑曲线具有波峰或波谷;根据所述第一泊桑曲线选取目标特征尺寸对应的第一焦平面相关参数,记录所述第二泊桑曲线的波峰或波谷对应的第二焦平面相关参数与所述第一焦平面相关参数之间的差值之后,该方法还包括:建立所述焦平面敏感的检测图形对应的第三泊桑曲线,所述第三泊桑曲线具有波峰或波谷;根据所述第三泊桑曲线的波峰或波谷对应的第三焦平面相关参数和所述相对差值计算焦平面不敏感图形的焦平面相关参数。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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