[发明专利]一种光学邻近修正的焦平面选择方法有效
申请号: | 201210297030.4 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN103631083A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 王辉;刘庆炜 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 邻近 修正 平面 选择 方法 | ||
1.一种光学邻近修正的焦平面选择方法,该方法应用于光学邻近修正,在具有焦平面不敏感图形的光罩图形中加入焦平面敏感的检测图形;分别建立所述焦平面不敏感图形对应的第一泊桑曲线和所述焦平面敏感的检测图形对应的第二泊桑曲线,所述第二泊桑曲线具有波峰或波谷;
根据所述第一泊桑曲线选取目标特征尺寸对应的第一焦平面相关参数,记录所述第二泊桑曲线的波峰或波谷对应的第二焦平面相关参数与所述第一焦平面相关参数之间的差值之后,该方法还包括:
建立所述焦平面敏感的检测图形对应的第三泊桑曲线,所述第三泊桑曲线具有波峰或波谷;
根据所述第三泊桑曲线的波峰或波谷对应的第三焦平面相关参数和所述相对差值计算焦平面不敏感图形的焦平面相关参数。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述焦平面敏感的检测图形是顶角小于等于30度的等腰三角形。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一泊桑曲线选取目标特征尺寸对应的第一焦平面相关参数的是,当所得光刻图案的特征尺寸与目标特征尺寸的差异范围在±10%之内时,选取对应的第一焦平面相关参数的取值。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二泊桑曲线的波峰或波谷对应的第二焦平面相关参数与所述第一焦平面相关参数之间差值的计算方法是,用所述第二焦平面相关参数减去所述第一焦平面相关参数;
所述根据所述第三泊桑曲线的波峰或波谷对应的第三焦平面相关参数和所述相对差值计算焦平面不敏感图形的焦平面相关参数的方法是,将所述第三焦平面相关参数与所述差值相加所得的和作为焦平面不敏感图形的焦平面相关参数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210297030.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种水冷散热器
- 下一篇:一种低温潜液泵配套锥面密封吸入底阀
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备