[发明专利]硅台面半导体器件的PN结保护方法有效
| 申请号： | 201210296649.3 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102779764A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 周明;穆连和;顾理建;王荣元 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅台面半导体器件的PN结保护方法，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜；再将玻璃粉的稀释混合液涂敷在硅片表面，低温焙烧后，去除多余的玻璃粉，再将硅片置于扩散炉内，在O2气氛中烧结。本发明采用半绝缘多晶硅（SIPOS）叠加玻璃钝化膜代替传统单一的玻璃钝化膜直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的工艺方法，以提高钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 半导体器件 pn 保护 方法 | ||
【主权项】：
硅台面半导体器件的PN结保护方法，其特征在于包括以下步骤：1）在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜；2）将玻璃粉的稀释混合液涂敷在硅片表面，低温焙烧后，去除多余的玻璃粉，再将硅片置于扩散炉内，在O2气氛中烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
