[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种具有保护间隙壁的晶体管器件制造方法。本发明中，在形成栅极间隙壁之后，增加了一层保护间隙壁，之后，通过STI结构、栅极间隙壁、保护间隙壁以及栅极上的硬掩模层作为掩模，各向异性地自对准形成了源漏区域凹槽，由于保护间隙壁的存在，栅极间隙壁的侧面在源漏区域凹槽刻蚀工艺中不会受到损伤，从而避免栅极线条顶端两侧暴露出来被刻蚀，以及随之而导致的外延过程中多晶硅栅极生长锗硅的情况。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于制造具有保护间隙壁的晶体管，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成包括NMOS区域和PMOS区域的两种类型的晶体管区域；形成栅极绝缘层、栅极、栅极硬掩模层，定义栅极图形；形成栅极间隙壁，其覆盖在所述栅极绝缘层、栅极、栅极硬掩模层的侧壁上；全面性沉积一层保护间隙壁材料层；形成图案化光刻胶层，该图案化光刻胶层暴露出一种类型的晶体管区域，而覆盖另一种类型的晶体管区域；以所述图案化光刻胶层为掩模，各向异性地刻蚀暴露出的该保护间隙壁材料层，使暴露出的所述保护间隙壁材料层仅留存在所述栅极间隙壁的侧壁上，从而形成保护间隙壁；各向异性地自对准刻蚀所述半导体衬底，形成源漏区域凹槽；在所述源漏区域凹槽中，选择性外延生长源漏区域。