[发明专利]一种氯硅烷混合物的分离方法有效
| 申请号： | 201210294559.0 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102826553A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 裴艳红;李强;马国栋;耿玉侠 | 申请（专利权）人： | 中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300400*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氯硅烷混合物的分离方法，主要解决了现有多晶硅生产中氯硅烷精馏分离工艺的流程长，投资大，能耗高等问题。本发明方法主要包括以下步骤：以含有二氯二氢硅、四氯化硅和三氯氢硅的氯硅烷混合物为原料，原料首先进入隔板精馏塔的隔板段进料侧，经分离后在隔板段采出侧得到三氯氢硅；塔顶得到二氯二氢硅；塔底得到四氯化硅。本发明的氯硅烷混合物的分离方法将隔板精馏技术应用到氯硅烷精馏中实现了塔内完全热耦合，与常规氯硅烷精馏流程相比可节省能耗30％左右，而且还缩短了流程，降低设备投资、节省占地面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 混合物 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种氯硅烷混合物的分离方法，其特征在于：包括如下步骤：以含有二氯二氢硅、四氯化硅和三氯氢硅的氯硅烷混合物为原料，原料首先进入隔板精馏塔的隔板段进料侧，经分离后在隔板段采出侧得到三氯氢硅；塔顶得到二氯二氢硅；塔底得到四氯化硅。
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