[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210293234.0 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594506B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的反型掺杂隔离层、反型掺杂隔离层上的阻挡层、阻挡层上的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的源漏区，其特征在于缓冲层和/或阻挡层和/或反型掺杂隔离层为SiGe合金或者SiGeSn合金，沟道层为GeSn合金。依照本发明的半导体器件，采用SiGe/GeSn/SiGe的量子阱结构，限制载流子的输运，并且通过晶格失配引入应力，大大提高了载流子迁移率，从而提高了器件驱动能力以适应高速高频应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的反型掺杂隔离层、反型掺杂隔离层上的阻挡层、阻挡层上的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的源漏区，其特征在于：缓冲层和/或阻挡层和/或反型掺杂隔离层为SiGe合金或者SiGeSn合金，并且沟道层为Ge1‑zSnz，沟道层与栅极堆叠结构之间还包括SiGe合金的盖层，阻挡层、沟道层与盖层共同构成SiGe/GeSn/SiGe的量子阱结构。
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