[发明专利]防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法有效
| 申请号： | 201210293067.X | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102779904A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 潘秀娟 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/055 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法。根据本发明的一种太阳能电池片的处理方法，其特征在于，包括：在太阳能电池片的受光面形成第一绝缘层；在太阳能电池片的背场面形成含干燥剂的第二绝缘层。第一绝缘层可为单纯的绝缘材料层，第二绝缘层可为含干燥剂成分的绝缘层。第一绝缘层还可是含有荧光转换成分的绝缘层，从而通过上频谱和下频谱转换来改进输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 太阳能 模块 有害 极化 黑线 现象 发生 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片的处理方法，其特征在于，包括：在太阳能电池片的受光面形成第一绝缘层；在太阳能电池片的背场面形成含干燥剂的第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
