[发明专利]防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法有效
申请号: | 201210293067.X | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102779904A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 潘秀娟 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/055 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 213031 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 太阳能 模块 有害 极化 黑线 现象 发生 方法 | ||
1.一种太阳能电池片的处理方法,其特征在于,包括:
在太阳能电池片的受光面形成第一绝缘层;
在太阳能电池片的背场面形成含干燥剂的第二绝缘层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,通过在受光面涂敷绝缘材料有机溶液来形成所述第一绝缘层,通过在背场面涂敷含有干燥剂的绝缘材料有机溶液来形成所述第二绝缘层。
3.如权利要求1所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,所述第一绝缘层和第二绝缘层包括透明绝缘基质。
4.如权利要求3所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,所述第一绝缘层还包括荧光转换材料。
5.如权利要求4所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,所述荧光转换材料以5wt%-10wt%的质量百分比均匀分散在所述透明绝缘基质中。
6.如权利要求4所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,所述荧光转换材料包括:铕离子的有机配合物,或镱离子的有机配合物。
7.如权利要求3所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,所述第一绝缘层的绝缘基质的光谱透过率为90%以上、厚度约为0.2-1.5mm、体积电阻率大于1016Ωcm,或大于1015-1018Ωcm。
8.如权利要求1所述的太阳能电池片的处理方法,其特征在于,所述第二绝缘层中所含的干燥剂为二氧化硅、氧化钙、纳米级分子筛、或活性炭。
9.一种太阳能电池组件的制造方法,包括:
形成多个太阳能电池片;
以权利要求1-8中任一项所述方法处理所述多个太阳能电池片;
封装经处理的所述多个太阳能电池片。
10.一种太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片在其受光面具有含荧光转换材料的绝缘层,在其背场面具有含干燥剂的绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的