[发明专利]低功率/高速TSV接口设计有效
| 申请号： | 201210291557.6 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102957418A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉;洪照俊;陈硕懋;叶德强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及低功率/高速TSV接口设计以及用于设置在中介层衬底中的TSV的TSV接口电路，其在第一管芯和第二管芯之间形成连接，TSV接口电路包括设置在第一管芯中的驱动电路以及设置在第二管芯中的接收器电路，其中，驱动电路与均低于中介层衬底电压的第一电源电压和第二电源电压相连，这充分降低了TSV的寄生电容。接收器电路也与均低于中介层衬底电压的第一电源电压和第二电源电压相连。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 高速 tsv 接口 设计 | ||
【主权项】：
一种用于设置在中介层衬底中的衬底通孔的衬底通孔接口电路，所述衬底通孔在第一管芯和第二管芯之间形成连接，其中，所述中介层衬底处于中介层衬底电压VI，所述衬底通孔接口电路包括：驱动电路，设置在所述第一管芯中，所述驱动电路具有输入端和与所述衬底通孔相连的输出端，其中，所述驱动电路与第一电源电压‑N*VDD和第二电源电压‑(N+1)*VDD相连，并且其中，所述第一电源电压和所述第二电源电压均低于所述中介层衬底电压VI。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210291557.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
