[发明专利]用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O DRAM的DRAM测试架构有效
| 申请号： | 201210291396.0 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102956273A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 桑迪·库马·戈埃尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O DRAM的DRAM测试架构，包括逻辑管芯和存储管芯。在2.5D结构中，逻辑管芯和存储管芯安装在中介片上。在3D结构中，存储管芯安装在逻辑管芯上。逻辑管芯包括包裹有处理器测试外壳的控制逻辑。处理器测试外壳启动控制逻辑的测试部件。存储管芯还安装在中介片上。存储管芯包括动态随机存取存储器和通道选择/旁路逻辑。控制逻辑经由通道选择/旁路逻辑连接至动态随机存取存储器，通过处理器测试外壳来控制通道选择/旁路逻辑。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 2.5 系统 芯片 dram 测试 架构 | ||
【主权项】：
一种2.5D测试架构，包括：中介片，安装在封装衬底上；逻辑管芯，安装在所述中介片上，所述逻辑管芯包括包裹有处理器测试外壳的控制逻辑，所述处理器测试外壳被配置为启动所述控制逻辑的测试部件；存储管芯，安装在所述中介片上，所述存储管芯包括动态随机存取存储器和通道选择/旁路逻辑，所述控制逻辑经由所述通道选择/旁路逻辑连接至所述动态随机存取存储器，通过所述处理器测试外壳来控制所述通道选择/旁路逻辑。
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