[发明专利]一种硅太阳电池表面陷光结构及制备方式无效

专利信息
申请号: 201210289800.0 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN102978710A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 汪琼 申请(专利权)人: 杭州道乐太阳能技术有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C23F1/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310013 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明名称为一种硅太阳电池表面陷光结构及制备方式,涉及一种新型多晶硅酸制绒工艺,利用添加含有一定比例的有机硅表面活性剂,柠檬酸可以使整个酸制绒过程更加可控,并形成具有特殊结构的绒面结构,该结构在普通的蠕虫状结构内部产生大量微小腐蚀坑,其中大腐蚀坑:长度2~10um,宽度1~5um,深度0.5~2um;小腐蚀坑:长度100~500nm,宽度100~500nm,深度0.2~0.5um。可以将制绒反射率降低2~3%。
搜索关键词: 一种 太阳电池 表面 结构 制备 方式
【主权项】:
一种硅太阳电池制绒工艺所使用的新型制绒溶液,其包括:1)含有HNO3、HF、H2O混酸溶液:占总体积40‑80%;2)添加剂:占总体积0.01‑1%;3)余量水其中所述添加剂的成分为甘油、柠檬酸、冠醚型表面活性剂和水,甘油与水的体积比为1‑10∶100,柠檬酸与水的重量比为1‑3∶100,冠醚型表面活性剂与水的体积比为0.1~1∶100。
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