[发明专利]一种硅太阳电池表面陷光结构及制备方式

权利要求书

1.一种硅太阳电池制绒工艺所使用的新型制绒溶液，其包括：

1)含有HNO₃、HF、H₂O混酸溶液：占总体积40-80％；

2)添加剂：占总体积0.01-1％；

3)余量水

其中所述添加剂的成分为甘油、柠檬酸、冠醚型表面活性剂和水，甘油与水的体积比为1-10∶100，柠檬酸与水的重量比为1-3∶100，冠醚型表面活性剂与水的体积比为0.1～1∶100。

2.如权利要求1所述的新型制绒溶液，其中所述HNO₃/HF/H₂O的体积比为1～3∶3～8∶3～5。

3.一种用于晶体硅太阳电池制造过程中的制绒方法，包括

1)将HF溶液，HNO₃溶液，H₂O按体积比为1～3∶3～8∶3～5的比例相混合，

搅拌5～10min使溶液充分混合形成普通制绒溶液；

2)将添加剂加入到所述普通制绒溶液中，搅拌5～10min使溶液充分混合，添加水以形成如权利要求1所述的新型制绒溶液；

3)调整步骤2)所得的新型制绒溶液的温度至5～20度；

4)将固体NaOH按重量比为3～8％的比例溶于去离子水，配制成碱溶液；

5)将单晶或多晶硅片放入步骤2)形成的所述新型制绒溶液中，反应2～4min取出，经水漂洗2min后浸入步骤4)所配制的碱溶液中反应10～60秒，取出，漂洗，吹干。

4.如权利要求3所述的制绒方法，其中制备方式可以是链式设备也可以是槽式设备。

5.如权利要求书1所述的制绒溶液，其中所述混酸溶液可替换为HF和一种氧化剂的混合。

6.如权利要求5所述的制绒溶液，其中所述氧化剂为硝酸、双氧水、高锰酸钾、或者铬酸。

7.如权利要求书1所述的制绒溶液，其中硅太阳电池是单晶硅太阳电池，或者多晶硅太阳电池。

8.一种利用权利要求3所述的制绒方法得到的绒面，其特征为：

1)硅片表面反射率比普通硅片降低2～5％

2)在普通的蠕虫状结构内部产生大量微小腐蚀坑，其中大腐蚀坑：长度2～10um，宽度1～5um，深度0.5～2um；小腐蚀坑：长度100～500nm，宽度100～500nm，深度0.2～0.5um。