[发明专利]制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器设备结构的方法

摘要

本发明公开了一种制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器设备结构的方法。该方法采用减少的工艺步骤制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器（F-RAM）设备结构。

主权项

一种在基片上形成集成电路的方法，包括：在所述基片上形成第一绝缘层，移除所述第一绝缘层的一部分以在其中形成至所述基片的暴露表面的开口；在所述开口的侧壁上形成多个第一隔离层；在所述基片的所述暴露表面上形成第一导电层，该第一导电层与所述开口的所述侧壁上的所述第一隔离层被它们之间的间隔分开；在所述第一导电层上方和所述第一导电层的侧向的所述间隔中形成铁电电容器的下电极；与所述开口中的所述隔离层相邻地形成第二绝缘层；在所述开口中的所述第二绝缘层上形成多个第二隔离层；在所述第二隔离层之间的所述下电极上形成铁电介电层；在所述铁电电介质上形成上电极；穿过部分所述第二绝缘层形成至所述下电极的下电极接触开口，并且形成所述上电极的第一电触点，并通过所述下电极接触开口形成所述下电极的第二电触点。