[发明专利]多层单元闪存及其软信息位读取电压阈值动态调整方法

摘要

本发明涉及一种多层单元闪存MLC及其软信息位读取电压阈值动态调整方法。本发明针对具有软信息位读取功能多层单元闪存，包括用于对原始数据进行处理的错误校验模块，其特征在于，还包括阈值控制算法单元、误判监控模块以及外信息获取模块。本发明通过捕获闪存芯片中物理块的损耗状态，动态调整多层单元闪存的读取电压的阈值范围，有效降低了软信息位读取(Soft Bit Read)过程中的误判概率，提高了闪存控制器的纠错能力，降低数据错误，有效延长闪存器件的使用寿命。

主权项

一种多层单元闪存，具有软信息位读取功能，包括用于对原始数据进行处理的错误校验模块，其特征在于，还包括阈值控制算法单元、误判监控模块以及外信息获取模块；所述外信息获取模块，用于获取所述多层单元闪存的损耗状况并输出到所述阈值控制算法单元；所述多层单元闪存读出的原始数据分别实时输出到所述误判监控模块和错误校验模块；所述多层单元闪存根据所述当前阈值进行软信息位读取操作，软信息位读取操作的结果分别输出到所述误判监控模块和错误校验模块；所述错误校验模块输出的校验后数据同时还反馈输入到所述误判监控模块；所述误判监控模块根据所述原始数据、校验后数据和软信息位读取操作的结果，计算出当前软信息位读取操作误判信息并输出到所述阈值控制算法单元；所述阈值控制算法单元，用于根据预先输入的误判控制目标，以及所述软信息位读取操作误判信息和闪存损耗状况计算出读取电压阈值，并将所述应然阈值实时输出到所述多层单元闪存，所述读取电压阈值用于后续的软信息位读取。