[发明专利]半导体器件及形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210283272.8 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102956680A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·赫尔莱尔;安东·毛德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供了具有半导体晶片的半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体晶片包括主水平面、外边缘、有源区和外围区。外围区包括介电结构，介电结构包围有源区并从主水平面延伸到半导体晶片中。在水平截面中，介电结构包括向外边缘倾斜的至少一个大致L形部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体晶片，包括：主水平面；外边缘；有源区；以及外围区，包括包围所述有源区的介电结构，所述介电结构从所述主水平面延伸到所述半导体晶片中，并且在水平截面中包括相对于所述外边缘倾斜的大致L形部分。
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