[发明专利]一种吸光层薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210282691.X | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN102790130A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 潘道成;王刚;赵婉亘;崔勇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 130022 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供一种吸光层薄膜的制备方法,包括以下步骤:将二硫化碳、第一胺类化合物、第一溶剂与前体物质混合,反应,得到第一前体溶液,所述前体物质包括铜源化合物,所述第一溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜;将所述第一前体溶液在基底上成膜,将成膜后的基底加热,得到半导体薄膜;将所述半导体薄膜硒化或硫化,得到吸光层薄膜。本发明还提供了一种吸光层薄膜的制备方法及一种吸光层薄膜。本发明采用了温和无毒的溶剂制备前体溶液,从而使制备铜基太阳能薄膜电池的吸光层薄膜能够得到大规模的生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 吸光层 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种吸光层薄膜的制备方法,包括:将二硫化碳、第一胺类化合物、第一溶剂与前体物质混合,反应,得到第一前体溶液,所述前体物质包括铜源化合物,所述第一胺类化合物为伯胺和仲胺中的一种或两种,所述第一溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N,N二甲基甲酰胺、N,N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜;将所述第一前体溶液在基底上成膜,将成膜后的基底加热,得到半导体薄膜;将所述半导体薄膜硒化或硫化,得到吸光层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的