[发明专利]一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺无效
| 申请号： | 201210278580.1 | 申请日： | 2012-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102779901A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 鲁伟明;初仁龙 | 申请（专利权）人： | 泰通（泰州）工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225312 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：（a）晶体硅片制绒前首先在其背面形成制绒和扩散阻挡层；（b）对硅片进行清洗制绒；（c）对硅片进行扩散，形成P-N结；（d）去除磷硅玻璃和背表面氧化层；（e）正面沉积SiNx薄膜，背面沉积Al2O3和SiNx叠层薄膜；（f）对背表面进行激光或者腐蚀浆料开孔；（g）丝网印刷背电极和正面栅线；（h）烧结；（i）电池制备完毕。这种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺可以在低温下生长，速度快，成本低，背表面钝化技术可以提高背表面内反射率至90%，且大幅度降低背表面的复合，提高太阳能电池的开路电压和短路电流，从而提高了太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 钝化 晶体 太阳能电池 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：（a）晶体硅片制绒前首先在其背面形成制绒和扩散阻挡层；（b）对硅片进行清洗制绒；（c）对硅片进行扩散，形成P‑N结；（d）去除磷硅玻璃和背表面氧化层；（e）正面沉积SiNx薄膜，背面沉积Al2O3和SiNx叠层薄膜；（f）对背表面进行激光或者腐蚀浆料开孔；（g）丝网印刷背电极和正面栅线；（h）烧结；（i）电池制备完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
