[发明专利]一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺

权利要求书

1.一种背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：

（a）晶体硅片制绒前首先在其背面形成制绒和扩散阻挡层；

（b）对硅片进行清洗制绒；

（c）对硅片进行扩散，形成P-N结；

（d）去除磷硅玻璃和背表面氧化层；

（e）正面沉积SiNx薄膜，背面沉积Al₂O₃和SiNx叠层薄膜；

（f）对背表面进行激光或者腐蚀浆料开孔；

（g）丝网印刷背电极和正面栅线；

（h）烧结；

（i）电池制备完毕。

2.  根据权利要求1所述的背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征是，所述步骤（a）中制绒和扩散阻挡层采用阳极氧化方法、物理气相沉积或者喷涂法形成。

3.根据权利要求1所述的背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征是，所述步骤（a）中制绒和扩散阻挡层厚度为10-30nm。

4.根据权利要求1所述的背表面钝化晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征是，所述步骤（a）中晶体硅为单晶硅。