[发明专利]将一施覆的基材作线型构造化以制造薄层太阳电池模块的方法在审
申请号: | 201210272280.2 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN102916074A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 尤格·海奇格;萨巴斯汀·史丹巴赫;法兰克·杉朵 | 申请(专利权)人: | 耶恩光学自动化技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;程美琼 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种将一施覆的基材作线型构造化以制造薄层太阳电池模块的方法,其中在一上层构造化平面内产生与一下层构造化平面内已有沟槽之分布相匹配的沟槽,为此需用推导自所述已有沟槽之相片的控制因子沿y向控制构造化工具(8),并且使该基材(1)在该构造化工具(8)下方来回移动。仅在正向送料时拍摄用以侦测已有沟槽的相片。在正向及反向送料时开设沟槽。 | ||
搜索关键词: | 将一施覆 基材 线型 构造 制造 薄层 太阳电池 模块 方法 | ||
【主权项】:
一种将一施覆的基材作线型构造化以制造薄层太阳电池模块的方法,其中在一包含至少一下层构造化平面的多层大面积型基材中开设沿x向分布的沟槽,为此需使该基材在多个送料过程中水平沿x向在两端位间来回移动,在该基材(1)上方可在所述送料过程之间沿y向移动至不同位置的构造化工具(8)在所述送料过程中分别在一上层构造化平面内产生一沟槽,该构造化工具在控制信号控制下沿y向偏转,拍摄用以侦测该下层构造化平面内已有沟槽的相片,用所述相片推导控制信号以形成与已有沟槽的分布相匹配的沟槽,其中,仅在正向送料时拍摄用以侦测已有沟槽的相片,在正向及反向送料时开设沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的