[发明专利]场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210270774.7 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103578983A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 邓小社;王根毅;芮强;吴芃芃 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址： | 214028 无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法。该方法依次具备下述步骤：形成缓冲层的步骤，在晶片正面形成N＋缓冲层；形成N型器件层的步骤，在所述N＋型缓冲层上通过外延生长而形成N型器件层；形成IGBT结构的步骤，在所述N型器件层上形成IGBT的正面结构；以及形成集电极的步骤，在所述晶片背面形成集电极。根据本发明的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，不需要薄片的工艺设备就能够制造超薄型的场中止型绝缘栅型双极晶体管，具有工艺简单、效率高、成本低的优点，而且利用本发明的方法制造出的场中止型绝缘栅型双极晶体管具有更低的导通压降和应用温度。 | ||
| 搜索关键词： | 中止 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，依次具备下述步骤：形成缓冲层的步骤，在晶片正面形成N＋缓冲层；形成N型器件层的步骤，在所述N＋型缓冲层上通过外延生长而形成N型器件层；形成IGBT结构的步骤，在所述N型器件层上形成IGBT的正面结构；以及形成集电极的步骤，在所述晶片背面形成集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
