[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体有效
申请号: | 201210266812.1 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102899628A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体,通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等,有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出,对输出的基体脱气,在第一成膜室,在第一面将第一膜材料成膜,将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导,在第二成膜室,在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜,在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室,将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状,沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体,重复上述全部处理。 | ||
搜索关键词: | 双面 真空 方法 利用 获得 层积 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法,其特征在于,包括:a)将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出的步骤;b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤;c)在所述第一成膜室,在进行了脱气的所述基体的第一面将第一膜材料成膜的步骤;d)将使所述第一膜材料成膜的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向向所述第二成膜室引导,在第二成膜室,在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的、与所述第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜的步骤;e)在设置于所述第一辊室与所述第二辊室之间的第三辊室,将在所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;f)沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第三辊室卷绕的所述基体的步骤;g)将输出的所述基体沿所述第一方向向所述第一成膜室引导,在所述第一成膜室,在向所述第一方向引导过程中的所述基体的第一面或第二面将第三膜材料成膜的步骤;h)将使所述第三膜材料成膜的所述基体沿所述第二方向向所述第二成膜室引导,在所述第二成膜室,在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的所述第二或第一面将第四膜材料成膜的步骤;i)在所述第三辊室,将在所述基体的所述第一面的所述第一膜材料上层积有所述第三或第四膜材料,并在所述基体的所述第二面的所述第二膜材料上层积有第四或第三膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。
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