[发明专利]双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体

权利要求书

1.一种成膜方法，其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法，其特征在于，包括：

a）将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出的步骤；

b）对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；

c）在所述第一成膜室，在进行了脱气的所述基体的第一面将第一膜材料成膜的步骤；

d）将使所述第一膜材料成膜的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向向所述第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的、与所述第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜的步骤；

e）在设置于所述第一辊室与所述第二辊室之间的第三辊室，将在所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；

f）沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第三辊室卷绕的所述基体的步骤；

g）将输出的所述基体沿所述第一方向向所述第一成膜室引导，在所述第一成膜室，在向所述第一方向引导过程中的所述基体的第一面或第二面将第三膜材料成膜的步骤；

h）将使所述第三膜材料成膜的所述基体沿所述第二方向向所述第二成膜室引导，在所述第二成膜室，在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的所述第二或第一面将第四膜材料成膜的步骤；

i）在所述第三辊室，将在所述基体的所述第一面的所述第一膜材料上层积有所述第三或第四膜材料，并在所述基体的所述第二面的所述第二膜材料上层积有第四或第三膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

还具有对在所述基体的所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述基体的所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体实施退火处理的步骤。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第三辊室，将在所述基体的所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述基体的所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体进行卷绕后，利用设置于所述第三辊室与邻接于所述第三辊室的邻接室之间的路径封锁机构，在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通，并且将所述第三辊室与所述邻接室之间切断的状态下，在所述第三辊室取出所述基体。

4.如权利要求1至3中任一项所述的成膜方法，其特征在于，

沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第三辊室卷绕的所述基体时，利用设置于所述第一辊室与邻接于所述第一辊室的邻接室之间的路径封锁机构，在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通，并且将所述第一辊室与所述邻接室之间切断的状态下，将所述基体设置在所述第一辊室。

5.如权利要求1至4中任一项所述的成膜方法，其特征在于，

代替所述c）至e）的步骤，具有：

c’）将进行了脱气的所述基体沿所述第一方向向第二成膜室引导，在所述第二成膜室，在沿所述第一方向引导过程中的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤；

d’）在第二辊室，将使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；

e’）沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出在所述第二辊室卷绕的所述基体的步骤；

f’）在所述第一成膜室，于沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的所述第二膜材料上，将第三膜材料成膜的步骤；

g’）在所述第一辊室，将在所述第二膜材料上层积有所述第三膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。

6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第二成膜室，在沿所述第一方向输出的所述基体的所述第一面将所述第二膜材料成膜时，从所述第一成膜室拆下支承所述第一膜材料的靶材的所述第一成膜室的第一阴极电极。

7.如权利要求5或6所述的成膜方法，其特征在于，

在所述第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面将所述第三膜材料成膜时，从所述第二成膜室拆下支承所述第二膜材料的靶材的所述第二成膜室的第二阴极电极。

8.如权利要求1至7中任一项所述的成膜方法，其特征在于，

在从所述第一辊室输出后且在使所述第一膜材料成膜前，对所述基体进行等离子处理。