[发明专利]包括晶片级无机电介质和有机滤色器的混合的光学传感器器件无效

专利信息
申请号: 201210266127.9 申请日: 2012-07-30
公开(公告)号: CN103515399A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: M·I-S·孙;F·希伯特;K·C·戴尔;E·S·李 申请(专利权)人: 英特赛尔美国有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 毛力
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本文中描述了单片光学传感器器件和用于制造这些器件的方法。在实施例中,一种半导体晶片衬底包括多个光电检测器(PD)区域。晶片级无机电介质滤光器被沉积并由此形成在多个PD区域的至少子集上。一个或多个晶片级有机滤色器被沉积并由此形成在位于选定PD区域之上的晶片级无机电介质滤光器的一个或多个选定部分上。例如,有机红过滤器、有机绿过滤器以及有机蓝过滤器可分别位于处在第一、第二和第三PD区域之上的晶片级无机电介质滤光器的部分之上。
搜索关键词: 包括 晶片 无机 电介质 有机 滤色器 混合 光学 传感器 器件
【主权项】:
一种用于制造单片光学传感器器件的方法,包括:(a)在半导体晶片衬底中的多个光电检测器(PD)区域之上沉积并由此形成一个或多个金属间电介质(IMD)层;(b)在位于所述多个PD区域的至少子集之上的最上方的所述IMD层的至少一部分上沉积并由此形成晶片级无机电介质滤光器;以及(c)在位于选定PD区域之上的所述晶片级无机电介质滤光器的一个或多个选定部分上沉积并由此形成一个或多个晶片级有机滤色器。
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