[发明专利]包括晶片级无机电介质和有机滤色器的混合的光学传感器器件无效
| 申请号: | 201210266127.9 | 申请日: | 2012-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN103515399A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | M·I-S·孙;F·希伯特;K·C·戴尔;E·S·李 | 申请(专利权)人: | 英特赛尔美国有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本文中描述了单片光学传感器器件和用于制造这些器件的方法。在实施例中,一种半导体晶片衬底包括多个光电检测器(PD)区域。晶片级无机电介质滤光器被沉积并由此形成在多个PD区域的至少子集上。一个或多个晶片级有机滤色器被沉积并由此形成在位于选定PD区域之上的晶片级无机电介质滤光器的一个或多个选定部分上。例如,有机红过滤器、有机绿过滤器以及有机蓝过滤器可分别位于处在第一、第二和第三PD区域之上的晶片级无机电介质滤光器的部分之上。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 晶片 无机 电介质 有机 滤色器 混合 光学 传感器 器件 | ||
【主权项】:
一种用于制造单片光学传感器器件的方法,包括:(a)在半导体晶片衬底中的多个光电检测器(PD)区域之上沉积并由此形成一个或多个金属间电介质(IMD)层;(b)在位于所述多个PD区域的至少子集之上的最上方的所述IMD层的至少一部分上沉积并由此形成晶片级无机电介质滤光器;以及(c)在位于选定PD区域之上的所述晶片级无机电介质滤光器的一个或多个选定部分上沉积并由此形成一个或多个晶片级有机滤色器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特赛尔美国有限公司,未经英特赛尔美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210266127.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





