[发明专利]一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210259551.0 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN102810634A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 李润伟;朱小健;胡本林;尚杰 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底,位于绝缘衬底上表面的第一电极,位于第一电极上表面的中间层,以及位于中间层上表面的第二电极;中间层的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构,第二电极下表面、与该内凹结构相对应位置具有一个与该内凹结构相配套的底端为尖形的外凸结构。当第一电极和第二电极之间施加电压时,根据尖端放电效应,该外凸结构部分形成局域增强的电场,带电缺陷粒子聚集在该外凸结构部分,最终在该外凸结构附近形成导电通道。因此,本发明的存储器能够有效控制第一电极与第二电极之间形成的导电通道的位置,从而提高了器件的稳定性。
搜索关键词: 一种 稳定性 电阻 随机 存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高稳定性的电阻式随机存储器,包括绝缘衬底(1),位于绝缘衬底(1)上表面的第一电极(2),位于第一电极(2)上表面的中间层(3),以及位于中间层(3)上表面的第二电极(4),在第一电极(2)和第二电极(4)之间施加电脉冲时该存储器具有电阻转变特性;其特征是:所述的中间层(3)的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构,所述的第二电极(4)下表面、与该内凹结构相对应位置具有一个与该内凹结构相配套的底端为尖形的外凸结构。
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