[发明专利]一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种高稳定性的电阻式随机存储器，包括绝缘衬底（1），位于绝缘衬底（1）上表面的第一电极（2），位于第一电极（2）上表面的中间层（3），以及位于中间层（3）上表面的第二电极（4），在第一电极（2）和第二电极（4）之间施加电脉冲时该存储器具有电阻转变特性；其特征是：所述的中间层（3）的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构，所述的第二电极（4）下表面、与该内凹结构相对应位置具有一个与该内凹结构相配套的底端为尖形的外凸结构。

2.如权利要求1所述的所述的高稳定性的电阻式随机存储器，其特征是：所述的第一电极（2）和第二电极（4）的材料包括导体材料、导电性能良好的半导体或者有机物中的一种材料或者两种以上的组合材料。

3.如权利要求1所述的所述的高稳定性的电阻式随机存储器，其特征是：所述的第一电极（2）和第二电极（4）的材料包括金属、金属氧化物、金属氮化物、掺杂的半导体、有机导体、导电高分子、有机高分子超导体中的一种或者两种以上的组合物。

4.如权利要求1所述的所述的高稳定性的电阻式随机存储器，其特征是：所述的中间层（3）的材料包括氧化锌、铁酸铋、钴酸锂、氧化镍、氧化钴、氧化铜、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氧化钨、二氧化铪、氧化铝、碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯、非晶碳、硫化铜、硫化银、非晶硅、氮化钛、聚酰亚胺、聚酰胺、聚西弗碱、聚砜中的至少一种。

5.如权利要求1所述的高稳定性的电阻式随机存储器的制备方法，其特征是：包括如下步骤：

步骤1、在绝缘衬底（1）上表面制备第一电极（2）；

步骤2、在第一电极（2）上表面制备中间层（3）；

步骤3、在中间层（3）的上表面制备底端为尖形的内凹结构；

步骤4、在中间层（3）的上表面制备第二电极（4），在所述的内凹结构位置使第二电极材料填满该内凹结构，从而形成第二电极（4）的外凸结构。

6.如权利要求5所述的高稳定性的电阻式随机存储器的制备方法，其特征是：所述的步骤1、2、4中，制备第一电极（2）、中间层（3）以及第二电极（4）的方法包括溶液旋涂方法、喷墨打印方法，以及固体溅射、热蒸发或者电子束蒸发方法中的一种或者两种以上的组合。

7.如权利要求5所述的高稳定性的电阻式随机存储器的制备方法，其特征是：所述的步骤3中，采用外界机械力作用、自组装，以及化学方法制备所述的内凹结构。