[发明专利]一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201210258388.6 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN102856430A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 邱建华;丁建宁;袁宁一;陈智慧;王秀琴 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种BiFeO3纳米线太阳能电池的制备方法。利用BiFeO3纳米线结构降低其光学带隙,并提高其对太阳光的吸收,利用Ag纳米线和ITO上电极提高载流子的收集能力,从而达到提高BiFeO3纳米线太阳能电池光电转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 铁酸铋 纳米 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法,包括制备双通的多孔氧化铝模板的步骤、在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤和制备ITO上电极的步骤,其特征在于:在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤和制备ITO上电极的步骤之间进行利用磁控溅射方法在Ag纳米线上包覆一层BiFeO3的步骤,具体的工艺条件为:溅射功率为50‑90 W,沉积温度为20-300 0C,Ar:O2的流量比1:15‑11:1,腔体压力为0.01‑1 Pa,BiFeO3壳层厚度为20‑200 nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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