[发明专利]集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。

主权项

一种制造器件的方法，包括如下步骤：提供具有正面和背面的衬底；在所述衬底的正面形成微型机电系统MEMS器件的可移动元件；释放所述可移动元件；在所述衬底的正面沉积牺牲层，其中所述牺牲层包围所述可移动元件；将所述衬底的正面附加到处理晶片上，其中所述附加所述衬底的正面的步骤包括施加胶合层到所述牺牲层上；在所述衬底的正面附加到所述处理晶片上的同时蚀刻所述衬底的背面；以及从所述衬底上除去所述处理晶片、所述胶合层以及所述牺牲层。