[发明专利]SOI MOS器件的建模方法有效
| 申请号： | 201210248270.5 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102789530A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为源漏注入不到底的SOI MOS器件，该方法包括：a）建立包含模拟源漏注入到底的SOI MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型；b）对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI MOS器件中源体结底面电容以及漏体结底面电容对于器件性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对器件的仿真设计。 | ||
| 搜索关键词： | soi mos 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为源漏注入不到底的SOI MOS器件，该方法包括：a）建立包含模拟源漏注入到底的SOI MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型；b）对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210248270.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：潮汐发电装置
- 下一篇：一种波力发电的宽频带波能捕获装置
