[发明专利]SOI MOS器件的建模方法有效
| 申请号： | 201210248270.5 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102789530A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi mos 器件 建模 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为源漏注入不到底的SOI MOS器件，该方法包括：
a）建立包含模拟源漏注入到底的SOI MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型；
b）对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。
2.根据权利要求1所述的方法，其中初级MOS器件模型为BSIMSOI模型。
3.根据权利要求1或2中所述的方法，其中源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型为SPICE中的PN结电容模型，其中侧面结电容设置为零。
4.根据权利要求3所述的方法，其中通过将PN结的周长和/或PN结单位周长的电容值设置为零，将侧面结电容设置为零。
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