[发明专利]相变随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210246602.6 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103022349A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变随机存取存储器，包括：半导体衬底，其具有形成在所述半导体衬底之上的底电极；和形成在所述底电极之上的相变层。所述相变层包括第一相变层和第二相变层，所述第一相变层形成在所述底电极之上并且包括第一元素、第二元素和第三元素中的至少一种；所述第二相变层形成在所述第一相变层的表面之上并由所述第一元素形成以防止所述第一相变层的区域通过扩散而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变随机存取存储器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有形成在所述半导体衬底上的底电极；以及相变层，所述相变层形成在所述底电极之上，其中，所述相变层包括：第一相变层，所述第一相变层形成在所述底电极之上并且包括第一元素、第二元素和第三元素中的至少一种；以及第二相变层，所述第二相变层形成在所述第一相变层的表面之上，并由所述第一元素形成以防止所述第一相变层的区域通过扩散而增加。
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