[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201210245865.5 | 申请日: | 2005-12-02 |
公开(公告)号: | CN102738180B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 吉田泰则;木村肇;前川慎志;中村理;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H04M1/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨洁 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地,本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外,通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离,可减小布线间的电容。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:在第一基板上的第一像素,其中所述第一像素包括:在所述第一基板上的第一薄膜晶体管;在所述第一基板上的第二薄膜晶体管,其中所述第二薄膜晶体管的栅电极电连接到所述第一薄膜晶体管的源电极或漏电极之一;电容器;在所述第一基板上的第一电极,所述第一电极电连接到所述第二薄膜晶体管的源电极或漏电极之一;在所述第一电极上的第一绝缘层;在所述第一电极和所述第一绝缘层上的场致发光层;以及在所述场致发光层和所述第一绝缘层上的第二电极;其中所述第二薄膜晶体管包括半导体层;所述第一基板上的第二像素,其中所述第二像素包括:在所述第一基板上的第三薄膜晶体管;在所述第一基板上的第四薄膜晶体管,其中所述第四薄膜晶体管的栅极电连接到所述第三薄膜晶体管的源电极或漏电极之一;所述第一基板上的第三像素;所述第一基板上的第四像素;电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源电极或漏电极的另一个的第一布线,所述第一布线位于第二绝缘层上;电连接到所述第三薄膜晶体管的所述源电极或漏电极的另一个的第二布线,所述第二布线不位于所述第二绝缘层上;电连接到所述第一像素和所述第二像素的第一电源线,其中所述第一电源线电连接到所述第二薄膜晶体管的所述源电极或漏电极的另一个;电连接到所述第一电源线的第二电源线;电连接到所述第三像素和所述第四像素并电连接到所述第二电源线的第三电源线,其中所述第二电源线与所述第一电源线和所述第三电源线交叉;电连接到所述第一像素和所述第三像素的第一线;电连接到所述第二像素和所述第四像素的第二线;栅极信号线驱动电路,其中所述栅极信号线驱动电路的第一端电连接到所述第一线和所述第二线;以及用密封材料紧固于所述第一基板的第二基板,无需在所述密封材料和所述第一基板之间插入所述第一绝缘层,其中,所述第一电源线与所述第一线交叉,其中,所述电容器的一个电极电连接到所述第一电源线,并且所述电容器的所述一个电极和所述第一电源线由相同导电层形成,其中,所述电容器的另一个电极电连接到所述第二薄膜晶体管的所述栅电极,并且所述电容器的所述另一个电极和所述第二薄膜晶体管的所述栅电极由相同导电层形成,以及其中,所述第二电源线具有多个脊峰。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的