[发明专利]接合构造有效
申请号: | 201210240591.0 | 申请日: | 2009-01-08 |
公开(公告)号: | CN102779777A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 竹林央史;中村太一;藤井知之 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蕴;郑永梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置,该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座(1),由氮化铝构成,具有带孔的陶瓷构件(4)、由钼构成的埋设在陶瓷构件(4)中的端子(3)、插入到孔中的与端子(3)连接的由钼构成的连接构件(5)、连接端子(3)和连接构件(5)的焊料接合层(6),焊料接合层(6)只由金(Au)构成。 | ||
搜索关键词: | 接合 构造 | ||
【主权项】:
一种接合构造,其特征在于,具有:由氮化铝构成的设有孔的陶瓷构件;埋设在所述陶瓷构件中且具有露在所述孔底面的露出面,并由钼构成的端子;与所述端子的所述露出面连接的、只由金构成的焊料接合层;以及插入到所述孔中,且通过所述焊料接合层与所述端子连接的、由钼构成的连接构件,在所述孔的侧壁上形成有焊料堆积空间,所述焊料堆积空间在平行于所述陶瓷构件主面的断面上具有大致半圆形状,在所述焊料堆积空间的至少一部分中填充焊料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造