[发明专利]光谱散射共振调制高效晶硅太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种利用表面Si纳米晶、金属硅化物纳米晶的光谱散射共振调制高效晶硅太阳能电池制备方法，其包括如下工艺步骤：酸或碱在晶硅硅片表面制绒、三氯氧磷扩散形成PN结、表面沉积Si薄膜、快速热退火形形成Si纳米晶、表面沉积金属薄膜/硅薄膜、快速热退火形成金属硅化物纳米晶、Si3N4减反膜制备、背面和正面丝网印刷形成正电极和负电极、退火合金完成电池的制备。本发明充分利用现有的生产设备，并利用物理原理和过程，具有生产工艺简单、增加设备不多，易于产业化并降低生产成本的特点。

主权项

光谱散射共振调制高效晶硅太阳能电池制备方法，其特征在于：其包括如下工艺步骤：1)、在P型晶体硅衬底上制备正、反绒面；2)、正、反两面均有绒面结构的晶硅衬底放置入闭管式扩散炉中，对P型晶体硅衬底进行磷扩散，形成PN结；3)、利用平板等离子增强化学气相淀积，在表面进行非晶硅薄膜的沉积；4)、利用退火炉对具有非晶硅薄膜的晶体硅衬底进行快速热退火，退火过程形成硅纳米晶；5)、在晶硅衬底表面淀积一薄层金属薄膜，再利用平板等离子增强化学气相淀积沉积非晶硅薄膜，从而形成金属薄膜/非晶硅薄膜；6)、利用退火炉热退火的方式对具有金属薄膜/非晶硅薄膜的硅衬底进行退火而形成Si纳米晶；7)、利用管式或者平板式等离子增强化学气相淀积方法在衬底正面淀积Si3N4减反膜；8)、利用丝网印刷机在晶体硅衬底背面和正面分别进行正、负电的丝网印刷，分别形成电池的正极和负极；9)、对正极和负极退火处理，完成该光谱散射共振调制高效晶硅太阳能电池。