[发明专利]磁性结及其使用方法和磁存储器及系统有效

专利信息
申请号: 201210236344.3 申请日: 2012-07-09
公开(公告)号: CN102867538B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: D.阿帕尔科夫;唐学体;M.T.克罗恩比;V.尼基廷;A.V.克瓦尔科夫斯基 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;H01L43/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。
搜索关键词: 磁性 及其 使用方法 磁存储器 系统
【主权项】:
一种磁性结,用于磁器件中,包括:被钉扎层,具有被钉扎层磁化;非磁间隔层;以及自由层,具有易磁化轴,该非磁间隔层位于该被钉扎层与该自由层之间,该自由层和该被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属;其中该磁性结被配置为使得当写入电流流经该磁性结时该自由层在多个稳定的磁状态之间可切换,其中该自由层具有从易磁化锥各向异性和磁偏置诱导各向异性选出的磁各向异性,该易磁化锥各向异性为使得关于自由层的磁化的所述多个稳定的磁状态中的至少一个发生在围绕易磁化轴的非零角度处,该磁偏置诱导各向异性由来自该磁性结中的偏置结构的磁偏置产生,该磁偏置垂直于该自由层的易磁化轴并且垂直于该被钉扎层的被钉扎层易磁化轴,以及其中如果该自由层具有磁偏置诱导各向异性,该被钉扎层易磁化轴垂直于该自由层的易磁化轴。
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