[发明专利]衬底的表面处理方法和带有绝缘埋层衬底的制作方法在审
| 申请号： | 201210233289.2 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102768980A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制造领域，尤其涉及一种衬底的表面处理方法，以及带有绝缘埋层衬底的制作方法。所述衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一衬底；研磨减薄衬底的一表面；采用能够腐蚀衬底自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的表面；采用化学机械抛光工艺抛光腐蚀后的表面。本发明经对研磨工艺的仔细研究发现，研磨减薄的过程中，高速研磨会产生高温，虽然有水冷，但是仍然会在损伤的表面形成一层自然氧化层。故本发明通过采用能够腐蚀被研磨衬底自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的表面，除去自然氧化层，进而降低研磨后的CMP工艺对顶层硅总厚度均匀性偏差的影响，提高产品的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 处理 方法 带有 绝缘 制作方法 | ||
【主权项】：
一种衬底的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；研磨减薄衬底的一表面；采用能够腐蚀衬底自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的表面；采用化学机械抛光工艺抛光腐蚀后的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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