[发明专利]沟槽形成方法以及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210230389.X | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102738061A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供沟槽形成方法以及半导体器件制造方法。沟槽形成方法用于在半导体结构中形成沟槽。半导体结构包括端口区域和单元区域。方法包括：氧化层形成步骤，用于在硅片表面形成氧化层；光刻胶层形成步骤，用于在氧化层表面形成光刻胶层；图案形成步骤，对光刻胶层进行光刻以形成与沟槽相对应的沟槽图案部分，利用形成图案的光刻胶层刻蚀氧化层，从而在氧化层中形成与沟槽图案部分相对应的图案；氧化层第一刻蚀步骤，其中去除单元区域上的光刻胶层，利用剩下的光刻胶层对氧化层执行刻蚀；沟槽刻蚀步骤，利用沟槽图案部分在单元区域中形成沟槽；光刻胶去除步骤，用于去除剩余的光刻胶层；氧化层第二步骤，用于在去除光刻胶层后对氧化层执行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种沟槽形成方法，用于在半导体结构中形成沟槽，其中所述半导体结构包括端口区域和单元区域，其特征在于所述沟槽形成方法包括：氧化层形成步骤，用于在硅片表面形成氧化层；光刻胶层形成步骤，用于在氧化层表面形成光刻胶层；图案形成步骤，其中对光刻胶层进行光刻以形成与沟槽相对应的沟槽图案部分，然后利用形成图案的光刻胶层刻蚀氧化层，从而在氧化层中形成与沟槽图案部分相对应的图案；氧化层第一刻蚀步骤，其中首先去除单元区域上的光刻胶层，并利用剩下的光刻胶层对氧化层执行第一次刻蚀；沟槽刻蚀步骤，用于利用沟槽图案部分在单元区域中形成沟槽；光刻胶去除步骤，用于去除剩余的光刻胶层；以及氧化层第二步骤，用于在去除了光刻胶层的情况下对氧化层执行第二次刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210230389.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
