[发明专利]适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法

摘要

本发明涉及一种适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特点是通过回蚀某种选择性发射极方法形成的存在高/低掺杂浓度差异的硅片，同时去除高/低掺杂浓度区域表面掺杂层，回蚀目标方阻高掺杂浓度区30-60OPS，低掺杂浓度区80-120OPS。有此，回蚀高掺杂浓度区可有效去除表面死层，从而在不影响金半接触的前提下提高了非金属覆盖区域表面钝化质量，降低表面和发射层复合，提高短波光子响应，进而提升电池性能。

主权项

适用于选择性发射极太阳电池的无掩膜回蚀方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，采用硅片放入加工溶液中，加热到对应温度，控制反应时间确保单面去除机械损伤层厚度为6‑10μm；步骤②，将硅片放入氧化炉中，采用水蒸汽氧化法在硅片表面形成20‑30nm厚SiO2层；步骤③，采用丝网印刷的方法在上述经过氧化的硅片上根据金属栅线图形，进行丝网印刷腐蚀性浆料，腐蚀图形后将浆料清洗干净；步骤④，将经过上述处理过的硅片放入扩散炉中进行扩散，扩散后腐蚀图形区域方阻30‑60Ω/sqr，其他区域70‑80Ω/sqr；步骤⑤，将经过扩散的硅片去除表面氧化层及磷硅玻璃，并腐蚀去除背结；步骤⑥，将上述处理过的硅片回蚀溶液中进行回蚀，回蚀后方阻腐蚀图形区域45‑50Ω/sqr，其他区域100‑120Ω/sqr；步骤⑦，利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜，氮化硅膜的膜厚控制范围70‑80nm，折射率控制范围2.0‑2.1；步骤⑧，利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。