[发明专利]金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法无效
| 申请号： | 201210224447.8 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103515300A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，形成阻挡层和牺牲层；形成沟槽并在沟槽中形成金属互连线；对牺牲层进行回刻蚀工艺；在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙；去除剩余的牺牲层；沉积第一介质层，在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。在沉积形成第一介质层的过程中，由于侧墙的遮挡可以在侧墙下方金属互连线周围形成空气间隙，进一步降低金属互连线周围的介电常数，提高半导体器件的介电性能，此外，该形成的空隙间隙尺寸可以调整，从而避免空气间隙过大，提高半导体器件的机械抗压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 工艺 形成 空气 间隙 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连工艺中形成空气间隙的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和牺牲层；依次刻蚀所述牺牲层和阻挡层以形成沟槽，并在沟槽中形成金属互连线；对所述牺牲层进行回刻蚀工艺，使所述金属互连线的高度高于所述牺牲层；在所述牺牲层和所述金属互连线上覆盖硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，剩余的硬掩膜层在所述金属互连线的侧壁上形成侧墙；去除剩余的牺牲层；沉积第一介质层，在所述侧墙下方的金属互连线周围形成空气间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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