[发明专利]柔性掩模板的制备方法无效
| 申请号： | 201210224138.0 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102747319A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 祁琼;熊聪;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柔性掩模板的制备方法，包括：在衬底上生长SiO2层；在SiO2层上沉积聚合物层；在聚合物层上形成镂空掩模图形；将包含形成镂空掩模图形的聚合物层的衬底浸入氢氟酸与氟化氨的混合溶液，SiO2层与该混合溶液反应，使形成镂空掩模图形的聚合物层从衬底上剥离下来，形成柔性掩模板。本发明的方法对掩模板无损伤，且简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性掩模板的制备方法，包括：在衬底上生长SiO2层；在所述SiO2层上沉积聚合物层；在所述聚合物层上形成镂空掩模图形；将包含形成镂空掩模图形的聚合物层的衬底浸入氢氟酸与氟化氨的混合溶液，所述SiO2层与该混合溶液反应，使形成镂空掩模图形的聚合物层从所述衬底上剥离下来，形成柔性掩模板。
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