[发明专利]柔性掩模板的制备方法无效
| 申请号： | 201210224138.0 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102747319A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 祁琼;熊聪;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 模板 制备 方法 | ||
1.一种柔性掩模板的制备方法，包括：
在衬底上生长SiO2层；
在所述SiO2层上沉积聚合物层；
在所述聚合物层上形成镂空掩模图形；
将包含形成镂空掩模图形的聚合物层的衬底浸入氢氟酸与氟化氨的混合溶液，所述SiO2层与该混合溶液反应，使形成镂空掩模图形的聚合物层从所述衬底上剥离下来，形成柔性掩模板。
2.根据权利要求1所述的柔性掩模板制备方法，其中，采用以下方式其中之一在聚合物层上形成镂空掩模图形：光刻法、等离子体刻蚀法和/或纳米压印法。
3.根据权利要求2所述的柔性掩模板制备方法，所述在聚合物层上形成镂空掩模图形的步骤包括：
采用纳米压印法在聚合物层上形成掩模图形；
采用光刻法或等离子刻蚀法去除掩模图形区域内残余的聚合物材料，直至聚合物层贯穿。
4.根据权利要求1所述的柔性掩模板制备方法，其中，所述聚合物层为热塑型纳米压印光刻胶。
5.根据权利要求4所述的柔性掩模板制备方法，其中，所述聚合物热塑型纳米压印光刻胶选自于以下材料其中之一：
聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯。
6.根据权利要求4所述的柔性掩模板制备方法，其中，所述聚合物热塑型纳米压印光刻胶的厚度介于50μm至500μm之间。
7.根据权利要求1所述的柔性掩模板制备方法，其中，所述SiO2层厚度介于100nm至500nm之间。
8.根据权利要求7所述的柔性掩模板制备方法，其中，所述将包含形成镂空掩模图形的聚合物层的衬底浸入氢氟酸与氟化氨的混合溶液步骤的工艺参数为：氢氟酸浓度为5wt％～20wt％，氟化氨浓度为5wt％～15％，浸泡时间为10s～30s。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的柔性掩模板制备方法，其中，采用以下方式其中之一在衬底上生长SiO2层：热氧化、PECVD和电子束蒸发。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的柔性掩模板制备方法，其中，所述衬底为以下材料其中之一：硅片、GaAs、Si4N3和ITO。
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