[发明专利]硅太阳能电池用光电转化透明薄膜无效
| 申请号： | 201210220344.4 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723382A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 葛波 | 申请（专利权）人： | 苏州嘉言能源设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 傅靖 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅太阳能电池用光电转化透明薄膜，所述的透明薄膜的组成为15-22.5wt%的氧化铟，0.15-0.25wt%的铈和余量的氧化锌。本发明所述的参杂有稀土元素的透明薄膜对波长为300-900nm的电磁波透过率超过90％。将本发明所述的透明薄膜沉积在硅太阳电池上表面，能够降低硅太阳电池的热化效应，提高电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 用光 转化 透明 薄膜 | ||
【主权项】：
一种硅太阳能电池用光电转化透明薄膜，其特征在于所述的透明薄膜的组成为15‑22.5wt%的氧化铟，0.15‑0.25 wt%的铈，27.5‑42.5wt%的二氧化锡以及余量的氧化锌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
