[发明专利]超级结功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210216629.0 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103515436A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 颜树范;张朝阳;李江华;朱辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/15;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结功率器件，其N柱与P柱交替排列，另外，包括位于N柱上方的多晶硅栅电极和源极的形成，P阱的形成及包覆所述多晶硅栅电极的隔离介质层，贯穿P柱中的接触孔及位于顶端的金属填充物，其中，所述接触孔中填充有所述金属填充物，所述金属填充物与N型外延层接触形成肖特基接触，本发明于超级结深沟槽内挖深孔形成嵌入肖特基区域，能增加器件的反向恢复速度，增大器件集成度；本发明还公开了一种制造上述超级结功率器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结功率器件，在基片上形成P柱与N柱交替排列的结构，其特征在于:在所述P柱中设置有一接触孔，所述接触孔贯穿所述P柱，宽度小于所述P柱；在所述接触孔中注入金属填充物，与N型外延层形成肖特基接触。
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