[发明专利]连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法

摘要

本发明公开了一种连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法，包括步骤：采用光刻刻蚀工艺在硅片上形成深孔或槽；在硅片表面均匀涂抹一第一层光刻胶，该第一层光刻胶为正性光刻胶；对整个硅片表面进行全面曝光；进行光刻显影将曝光后的第一层光刻胶去除，深孔或槽底部由未被曝光的第一层光刻胶完全填充；在硅片表面形成第二层光刻胶，采用光刻刻蚀工艺形成浅孔或槽。本发明能在先形成深孔或槽、再形成浅孔或槽的过程中用光刻胶对深沟槽进行良好的保护，从而能减少在浅孔或槽的刻蚀过程中产生的缺陷，能保障后道工艺的稳定性，且无需增加光刻掩膜版，能降低工艺成本。

主权项

一种连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法，用于在硅片上形成深孔或槽以及浅孔或槽，其中深孔或槽的深度大于浅孔或槽的深度，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用光刻刻蚀工艺在所述硅片上形成所述深孔或槽；步骤二、在形成有所述深孔或槽的所述硅片表面均匀涂抹一第一层光刻胶，该第一层光刻胶为正性光刻胶；所述第一层光刻胶的厚度满足能将所述深孔或槽完全填充以及在所述硅片表面形成一层厚度均匀的膜层；步骤三、对整个所述硅片表面进行全面曝光，所述全面曝光的曝光剂量满足使所述深孔或槽外部的所述硅片表面的所述第一层光刻胶全部曝光、以及使所述深孔或槽区域的所述第一层光刻胶的被曝光部分的底部和所述深孔或槽的顶部相平或低于所述深孔或槽的顶部；步骤四、对全面曝光后的所述硅片进行光刻显影，显影后所述深孔或槽外部的所述硅片表面的所述第一层光刻胶全部被去除、以及所述深孔或槽区域的所述第一层光刻胶的被曝光部分也被去除，所述深孔或槽底部由未被曝光的所述第一层光刻胶完全填充；步骤五、在所述硅片表面形成第二层光刻胶，采用光刻刻蚀工艺形成所述浅孔或槽，在所述浅孔或槽的刻蚀过程中，所述第二层光刻胶和所述第一层光刻胶将所述深孔或槽完全填充并将所述深孔或槽保护起来。