[发明专利]电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210215829.4 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103094334B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李政烨;鲜于文旭;文彰烈;朴用永;梁佑荣;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/45;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 氮化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基半导体器件，包括：GaN基半导体层；以及源电极，在所述GaN基半导体层的第一区域上；漏电极，在所述GaN基半导体层的第二区域上，所述源电极和所述漏电极中的至少一个具有电极结构；以及栅电极，在所述GaN基半导体层上且在所述源电极和所述漏电极之间，该电极结构包括：电极元件，包括导电材料，和扩散层，在所述电极元件和所述GaN基半导体层之间，该扩散层包括关于所述GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料，并且该扩散层接触所述GaN基半导体层，所述GaN基半导体层的接触所述扩散层的区域用所述n型掺杂剂掺杂，其中所述电极元件具有从Ti/Al/Ni/Au结构、Ti/Al/TiN结构和Ti/Al/W结构中选出的结构，其中所述GaN基半导体层的所述第一区域和所述第二区域分别具有至各自深度的凹入，以及其中所述GaN基半导体层具有包括GaN层和AlGaN层的多层结构，以及所述第一区域和所述第二区域在所述凹入中的上表面为所述AlGaN层的被蚀刻表面，使得所述扩散层接触所述AlGaN层的所述被蚀刻表面，以及其中所述GaN基半导体层和所述电极结构仅在高于600℃且低于800℃的温度被退火，且所述电极结构和所述GaN基半导体层之间的接触电阻率低于1×10‑5Ω·cm2。
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