[发明专利]基于纳米孔的电子束场发射装置有效
| 申请号： | 201210209509.8 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102709142A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;李孟委;杜康;邓涛;赵承旭 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中北大学 |
| 主分类号： | H01J37/073 | 分类号： | H01J37/073 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于纳米孔的电子束场发射装置，包括：固定层结构，固定层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的通孔，固定层结构的上表面设有覆盖在通孔上方的石墨烯层；纳米孔层结构，纳米孔层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的纳米孔，且纳米孔层结构的下表面上设有用于与固定层结构的上表面连接的第一键合金属层；和场发射层结构，场发射层结构上表面的中心位置处设有电场负极金属板，场发射层结构下表面的中心位置处设有相互配合的场发射栅极正极和场发射栅极负极，场发射层结构的下表面外沿设有用于与纳米孔层结构的上表面连接的第二键合金属层。根据本发明的实施例的基于纳米孔的电子束场发射装置，石墨烯层可减小电子碰撞率，进而提高电子的穿透率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 电子束 发射 装置 | ||
【主权项】：
一种基于纳米孔的电子束场发射装置，其特征在于,包括：固定层结构，所述固定层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的通孔，所述固定层结构的上表面设有覆盖在所述通孔上方的石墨烯层；纳米孔层结构，所述纳米孔层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的纳米孔，且所述纳米孔层结构的下表面上设有用于与所述固定层结构的上表面连接的第一键合金属层；和场发射层结构，所述场发射层结构上表面的中心位置处设有电场负极金属板，所述场发射层结构下表面的中心位置处设有相互配合的场发射栅极正极和场发射栅极负极，所述场发射层结构的下表面外沿设有用于与所述纳米孔层结构的上表面连接的第二键合金属层。
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